Silicon Carbide Graphite Crucible For Metal Fornax Graphite Crucibles
Pii Carbide Crucible Property
| Item | Sic Content | Tempeatue esistance | Cabon Content | Appaent Poosity | mole Density |
| Data | ≥48% | ≥1650°C | ≥30%-45% | ≤%18-%25 | ≥1.9-2.1g/cm3 |
| Nota: Possumus contentum uniuscuiusque materie adcommodare ut cucibile accomodatum consuetudinum equiementum producat. | |||||
Silicon Cabide Cucible Commoda
- princeps vi
- Bonum themal conductivity
- Humilis themal expansion
- Princeps calor existentiae
- princeps vi
Silicon Graphite Crucibles Applications
graphite uasculi pii praestantioris effectus fiat instrumenta dextra pro Metallo Non-ferro Smelting ut aes, aes, aurum, argentum, zincum, plumbum.
- Aeris Smelting— Pii phi- phitae testae sunt specimen aeris excoquunt et alia metalla non ferrea.Ob resistentiam summo ardore, possunt sustinere temperaturas altissimae quae requiruntur ad aeris excoquunt sine crepitu vel fractione.
- Aurum et Argentum Smelting— Pii testae graphitae perfectae sunt etiam ad excoquendam aurum et argentum.Eorum alta munditia efficit ut minimam contagionem metallica pretiosa sit, quae consequitur in altiori qualitate finis producti.
- Cadmiae et plumbi Smelting— Pii graphite uasculae optimae ad excoquunt zincum et plumbum.Propter diuturnitatem suam, possunt sustinere cyclos repetitos calefactionis et refrigerationis, quae requiruntur pro his processibus sine fractura vel fractione.
Instructiones et cautiones ad Graphite Crucible
Graphite uasculum eximium productum est ad applicationes industriae.Sequere has vitales instructiones et cautiones ut longitudinis et efficacis effectus graphitei testae invigilet.
- Fugiat aliquem impulsum mechanica ut graphite uasculum.
- Fugiat perstillantia vel percuciens uas ex alto.
- Serva graphite uasculum humoris loci.
- Graphite uasculae non sunt IMPERVIUS, siccitate, aquam non attingere.
- Utere os rotundo commissura vel denique sandpaper ad residuas quaslibet emundandas.
- Utere os rotundo commissura vel denique sandpaper ad residuas quaslibet emundandas.
- Utendo primum uasculum, sume tardum et paulatim auge calorem in tempore.
Certe ordinem parvum accipimus, placet liberum contactus nos, velimus plus commoditatis nostris clientibus praebere.
Solet intra XXIV horas commemorare, postquam singula requisita tua, ut magnitudo, quantitas etc.
Partes technologiae professionales et fabrum omnes tibi satisfacere possunt.
Ad omnem processum productionis, ratio integra QC habemus compositionis chemicae et proprietatum Physicarum. Post productionem omnia bona probabuntur.
Partes technologiae professionales et fabrum omnes tibi satisfacere possunt.
Related Products
-
Pii Carbide Sic graphite fusorium pro melti ...
Silicon Carbide Crucible euismod Parameter Data Parameter Data SiC ≥85% Frigus Contritionis Fortitudo ≥100MPa SiO₂ ≤10% Apparens Porosity ≤%18 Fe₂O₃ <1% Temperature Repugnantia ≥1700°C Mole Densitas ≥2.60 g/cm³ Producere possumus secundum exigentiam Descriptio Lorem Ut quaedam refractione producta progressa, Silicon carbide...
-
Silicon Graphite Crucible For Metal Melling Cla...
Technical Parameter For Clay Graphite Crucible SIC C Modulus Rupturae Temperaturae Repugnantia Molis Densitas Apparens Porositas ≥ 40% ≥ 35% ≥10Mpa 1790℃ ≥2.2 G/CM3 ≤15% Nota: Accommodare possumus contentum cuiusque materiae rudis ad producendum uas secundum clientium postulationem.Descriptio graphita in his uasculis adhibita fieri solet...
-
High Purity Sic Silicon Carbide Crucible Graphi...
Silicon Carbide Crucible euismod Parameter Data Parameter Data SiC ≥85% Frigus Contritionis Fortitudo ≥100MPa SiO₂ ≤10% Apparens Porosity ≤%18 Fe₂O₃ <1% Temperature Repugnantia ≥1700°C Mole Densitas ≥2.60 g/cm³ Producere possumus secundum exigentiam Descriptio Lorem Optimum scelerisque conductivity---It has excellent scelerisque...
